News & Events
Компания Кинтех Лаб представила доклад по механизму формирования проводимости в допированном полупроводнике CdTe на конференции “MRS Fall Meeting 2013”, Бостон, США.
На конференции MRS Fall Meeting 2013, проводимой ежегодно в г. Бостон (Массачусетс, США), был представлен доклад на тему “Search for the Major Chlorine-Related Defects in CdTe:Cl” авторов Д. Красиков, А. Книжник, Б. Потапкин (ООО «Кинтех Лаб», Москва, Россия), Т. Соммерер (GE Global Research, Niskayuna, New York, USA). Доклад посвящен теоретическому анализу механизма формирования проводимости в полупроводнике CdTe, допированном Cl, с использованием квазихимической дефектной модели и расчетов из первых принципов. Описаны причины невозможности образования полуизолирующего состояния в CdTe, содержащем только дефекты и примеси с низкой энергией ионизации (см. [1]). Предложены глубокие дефекты с Cl, которые могут отвечать за формирование высокого сопротивления. Впервые представлена модель, способная с одним набором параметров описать высокотемпературную проводимость CdTe и CdTe:Cl, а также проводимость CdTe:Cl при комнатной температуре в зависимости от концентрации Cl, включая образование полуизолирующего состояния при концентрации хлора > 1017 см-3.
На рисунке экспериментальное [2,3] и смоделированное сопротивление CdTe:Cl при разной концентрации хлора.
1. D. Krasikov, A. Knizhnik, B. Potapkin, T. Sommerer, Semicond. Sci. Technol. 28, 125019 (2013).
2. V.D. Popovych, I.S. Virt, F.F. Sizov et al., J. Crystal Growth 308, 63 (2007).
3. H-Y Shin, C-Y Sun, J. Crystal Growth 186, 67-78 (1998).
