News & Events

Компания Кинтех Лаб приступила к выполнению проекта по моделированию TAS MRAM

Компания Кинтех Лаб совместно с ООО «Крокус Наноэлектроника» и Минобрнауки РФ приступила к выполнению проекта по многоуровневому моделированию магниторезистивной памяти произвольного доступа с термическим переключением (TAS MRAM) на основе эффекта туннельного магнитного сопротивления. Данная память обеспечивает высокую скорость записи и чтения (сравнимую с DRAM), позволяет сохранять информацию в течение долгого времени без необходимости обновления (аналогично Flash), и, кроме того, обладает повышенной надежностью, может работать в большом диапазоне температур, и обладает радиационной стойкостью. В результате проекта будет определен способ масштабирования приборов на технологию 65 нм и меньше. Работы выполняются в рамках соглашения с Минобрнауки №14.576.21.0023 от 30.06.2014.